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NMR、磁铁、杂散场屏蔽

NMR 杂散场屏蔽概念
某大学讲堂下面的核磁共振磁铁
用于直流杂散场的硅铁屏蔽
用有限元模型(FEM)模拟 NMR 杂散场
NMR 磁铁的杂散场图
核磁共振磁体磁场屏蔽的三维有限元仿真

  • NMR、磁铁、杂散场屏蔽的概况 -


    NMR、磁铁、杂散场屏蔽
    为了减少核磁共振的强磁场,需要对核磁共振杂散场进行磁屏蔽,主要是为了将磁体周围的区域控制在 5 高斯 (500μT) 以下。然而,磁屏蔽的应用并不限于只影响 5 高斯线。在PowerShield®杂散磁场屏蔽系统的帮助下,也可以实现限制杂散磁场的其他目标。
     
    使用PowerShield® 杂散场屏蔽系统,屏蔽和非屏蔽核磁共振的杂散场都会被削弱。在进行任何屏蔽工作之前, Systron 会进行 2D / 3D FEM(有限元模型)软件模拟,以确定材料的厚度和适当的屏蔽区域。屏蔽措施的用途是保持公共区域所要求的的 5 高斯线。

  • NMR、磁铁、杂散场屏蔽的优势 +

  • NMR、磁铁、杂散场屏蔽的性能 +

  • NMR、磁铁、杂散场屏蔽的指标 +

核磁共振磁体周围由纯铁制成的屏蔽层

某大学讲堂下面的核磁共振磁铁

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